2007年11月20日
フラッシュメモリ
昔は何のことか全く分かりませんでした。
フラッシュメモリ (flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性半導体メモリ。フラッシュEEPROMまたはフラッシュROMとも言う。
EEPROMの一種であるが、従来のEEPROMと違って1バイト単位の書き換えは出来ず、あらかじめブロック単位で消去してから書き込みを行う。消去・書き込みのためにVppとして別電源が必要なものと、単一電源で動作するものがある。最近では、3.3V単一電源のものが多く使われている。
一般にはROMに分類されるが、ROMでもRAMでもない存在として別に分類されている場合もある。
記憶セルを接続する構造によりNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリなどに分けられ、ともに元東芝の舛岡富士雄が発明した。その後インテルの開発により、NOR型が先行して市場に広がった。NAND型は、高集積化に向いていて、書き込みが高速な利点があるが、1バイト単位の書き込みはできず、ランダムアクセスによる読み出しが低速である欠点を持つ。NOR型は、1バイト単位の書き込みが可能で、高速にアクセス出来る利点があるが、書き込みは低速で、大容量化に劣る欠点を持つ。どちらの型も、数キロバイト?数十キロバイトのブロック単位でしか消去は出来ない。
NOR型は、マイコン応用機器のシステムメモリに適しており、従来から使用されていたROMを置き換える存在となった。ROMの交換で行われていたファームウェアの更新も、製品の筐体を開けることなく容易に行えるようになっている。NAND型は、データストレージ用に適しており、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として近年広く普及しており、それによって価格も低下している。
(以上、ウィキペディアより引用)
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